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迁移率(霍尔)测试仪

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产品详情

MOBLITY(HALL)TESTER

迁移率(霍尔)测试仪


产品描述

       设备主要利用微波测试原理,非接触式测量射频HEMT结构半导体材料的方阻、迁移率及载流子浓度。可实现单点测试,

亦可以实现面扫描的测试功能,具有快速,无损,准确等优势,可用于材料研发及工艺的监测及质量控制。


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特点

       适用于迁移率量测范围在100cm²/V · s~3000cm²/V · s 的射频HEMT外延片。非接触,非损伤测试,具有测试速度快,

重复性佳,测试敏感性高,可以直接测试产品片等优点。


技术参数

规格

描述

载流子迁移率测试范围

100~20000 cm²/V·s

方块电阻测试范围

100-3000 Ω/sq

载流子浓度

1E+11 - 1E+14

载流子迁移率动态重复性

≤1%

载流子迁移率静态重复性

≤0.5%

载流子迁移率测试准确性

±10%

方块电阻测试动态重复性

≤1%

方块电阻静态重复性

≤1%

方块电阻测试准确性

±10%

测试样品允许厚度

200-1500 μm

测试样片尺寸

2”- 8”

磁感应强度

1.0T可删除可反转

软件功能

自动输出包含Mapping,二维等高线图3D图的报告

自动传送测试能力

可选配


微波-霍尔法测试半导体方阻及载流子迁移率的原理

1232023-06-30 142955.png

原理:

       利用微波源发射微波通过波导将微波传输至测试样品表面,在磁场作用下具有不同迁移率的样品对微波的反射效果不同,

通过探测反射的微波功率再将其转化为对应的电导张量,从而建立模型可以计算出HEMT 结构的载流子浓度和迁移率。


微波-霍尔法测试半导体方阻核心算法相关性

对应信号和方阻值得拟合曲线,如下图所示:


迁移率Mapping5点测试报告

报告时间

2023/08/17/ 11:43

测试样本数

5

分析时间

2023/08/17/ 11:30

**迁移率

1852.68

操作员ID

admin

最小迁移率

1794.41

衬底设置

test

平均迁移率

1813.35

衬底厚度

500μm

标准偏差

21.3136

尺寸规格

100mm

相对标准偏差

1.1754%




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